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公司氮化鎵材料異質(zhì)外延核心技術(shù)取得重要突破，本次深紫外外延波長范圍270-285nm，各項(xiàng)電性指標(biāo)均達(dá)到預(yù)期，為后期UVC LED芯片量產(chǎn)打下堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)